[发明专利]一种半导体一次闭管扩散方法

摘要

本发明涉及半导体扩散工艺领域，特别涉及一种有助于稳定和提高半导体制造工艺质量的半导体一次闭管扩散方法，其特征在于，包括硅片清洗、闭管清洗、装管和闭管封闭。与现有技术相比，本发明的有益效果是：1)采用一次闭管扩散的方法进行扩散，扩散结果能达到设计的浓度和结深，保证一致性，满足量产化的要求。2)闭管隔绝了外部环境对扩散的影响，少子寿命相对较高，为以后生产大功率、高压大电流，高频等芯片提供了可能。3)同时还能提高晶闸管的阻断电压特性、降低压降等电学特性，可以广泛应用于高压大电流和高频晶闸管的制造工艺中，满足现在的社会发展需求。

主权项

一种半导体一次闭管扩散方法，其特征在于，包括硅片清洗、闭管清洗、装管和闭管封闭，其具体操作步骤如下：一)硅片清洗操作如下：1)将硅片在清洗液一中超声清洗30‑35分钟，清洗液一中DZ‑1电子清洗剂与去离水的体积比为5∶95，超声波频率在2‑5MHz范围内，然后用去离子水冲洗25遍；2)将硅片在清洗液二中超声清洗30分钟，所述清洗液二中HF与去离子水的体积比为1∶100，然后用去离子水冲洗20遍；3)再将硅片放入1#清洗液中，1#清洗液的组分体积比是，氨水∶过氧化氢∶去离子水＝1∶2∶20，煮沸5‑10分钟，然后去离子水冲洗20‑25遍，然后再换上新的1#清洗液重煮一遍，最后用冷、热、冷去离子水各冲洗25‑30遍；4)再将硅片放入2#清洗液中，2#清洗液的组分体积比是，盐酸∶过氧化氢∶去离子水＝1∶2∶20，煮沸5‑10分钟，然后去离子水冲洗20‑25遍，然后再换上新的2#清洗液重煮一遍，最后用冷、热、冷去离子水各冲洗30遍，最后将处理好的硅片快速放入快速干燥箱中烘1‑1.5小时；二)闭管清洗操作如下：将石英闭管先用去污粉擦拭一遍，放入混合酸液中，所述混合酸液的配比是，HF∶HCL∶去离子水＝1∶1∶100，将石英闭管浸泡1‑1.2小时后取出，用冷、热、冷去离子水交替冲洗各25‑30遍后，放入干燥箱中烘1‑1.5小时；三)装管：用硝酸铝液态源浸在硅片表面，硝酸铝液态源的组分比例为硝酸铝∶乙醇溶液＝2g∶500ml，将硅片分段放在石英闭管内，每段硅片之间均匀放上锗镓片，段与段之间的硅片用石英片隔离；四)闭管封闭：将闭管的一端用氢氧焰密封，另一端抽真空将空气排净，真空度不低于0.01Pa，然后再用氢氧焰将闭管另一端封死，检验是否漏气，即可放在真空扩散炉内进行扩散操作。