[发明专利]一种晶体管交流热载流子注入特性的测试结构有效
| 申请号： | 201210133459.X | 申请日： | 2012-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN103376395A | 公开（公告）日： | 2013-10-30 |
| 发明（设计）人： | 沈国飞;陈琦;曹刚 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26;H01L23/544 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种晶体管交流热载流子注入特性的测试结构，包括：一待测PMOS P1，一待测NMOS N1，一测试负载N2；P1、N1的栅极相连作为本测试结构的测试引脚a；P1的源极作为本测试结构的测试引脚b；P1的衬底电极作为本测试结构的测试引脚c；P1、N1的漏极相连作为本测试结构的测试引脚d；N1的衬底电极作为本测试结构的测试引脚e；N1的源极作为本测试结构的测试引脚f；测试负载N2的一端接测试引脚d，另一端接地作为本测试结构的测试引脚g。本发明能准确地模拟电路中CMOS的工作状态，并能准确地评价CMOS中的PMOS和NMOS在受到交流HCI应力后的特性变化，还能评价CMOS在受到交流HCI应力后其本身的特性变化。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶体管 交流 载流子 注入 特性 测试 结构 | ||
【主权项】：
一种晶体管交流热载流子注入特性的测试结构，其特征是，包括：一待测PMOS P1，一待测NMOS N1，一测试负载N2；P1、N1的栅极相连作为本测试结构的测试引脚a；P1的源极作为本测试结构的测试引脚b；P1的衬底电极作为本测试结构的测试引脚c；P1、N1的漏极相连作为本测试结构的测试引脚d；N1的衬底电极作为本测试结构的测试引脚e；N1的源极作为本测试结构的测试引脚f；测试负载N2的一端接测试引脚d，另一端接地作为本测试结构的测试引脚g；所述测试负载其充电时间与交流信号由低电位变高电位的周期一致，其放电时间与交流信号由高电位变低电位的周期一致，其电压与加载在P1、N1上的电压相等。
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