[发明专利]PMOS晶体管及形成方法有效
| 申请号： | 201210133563.9 | 申请日： | 2012-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN103377941A | 公开（公告）日： | 2013-10-30 |
| 发明（设计）人： | 赵猛 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/10 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种PMOS晶体管及形成方法，所述PMOS晶体管的形成方法包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底表面形成碳化硅层；在所述碳化硅层表面形成应变硅层；在所述应变硅层表面形成栅极结构；在所述栅极结构两侧的碳化硅层内形成锗硅源/漏区。由于本发明实施例的PMOS晶体管的沟道区位于所述碳化硅层和应变硅层内，所述碳化硅层的晶格常数较小，所述碳化硅层会使得应变硅层内部产生压缩应力，且所述源/漏区为锗硅源/漏区，所述锗硅源/漏区也可以使得所述沟道区产生压缩应力，从而可以提高PMOS晶体管沟道区中的空穴的迁移率，提高PMOS晶体管的电学性能。 | ||
| 搜索关键词： | pmos 晶体管 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种PMOS晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底表面形成碳化硅层；在所述碳化硅层表面形成应变硅层；在所述应变硅层表面形成栅极结构；在所述栅极结构两侧的碳化硅层内形成锗硅源/漏区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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