[发明专利]单晶硅片表面的处理方法无效
| 申请号： | 201210133682.4 | 申请日： | 2012-05-03 |
| 公开（公告）号： | CN103382578A | 公开（公告）日： | 2013-11-06 |
| 发明（设计）人： | 刘万学;程明辉;刘志坚;王月;王磊;孙胜;曲爽;王长宇 | 申请（专利权）人： | 吉林庆达新能源电力股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B33/10 | 分类号： | C30B33/10 |
| 代理公司： | 吉林省长春市新时代专利商标代理有限公司 22204 | 代理人： | 石岱 |
| 地址： | 136001 *** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种太阳能电池生产中单晶硅片表面处理的技术，具体的说是一种使硅片表面处理洁净，方便硅片制绒的单晶硅片表面的处理方法，该方法是通过混酸处理、碱性溶液处理两个工艺步骤实现的，本发明方法，使硅片表面更加洁净，方便硅片的制绒，提高硅片外观效果和效率。 | ||
| 搜索关键词： | 单晶硅 表面 处理 方法 | ||
【主权项】：
一种单晶硅片表面的处理方法，其特征在于：该方法包括以下步骤：①、混酸处理：在酸处理槽中加入60升电阻率为18兆欧的纯水，然后加入72升浓度为49%的电子级氢氟酸和6升浓度为70%的电子级硝酸，在常温下将待处理的单晶硅片浸入该槽溶液中反应3‑10分钟，待反应结束后放入漂洗槽中漂洗；②、碱性溶液处理：经过漂洗后的单晶硅片进入碱性处理槽进行表面处理，在碱性处理槽中加入150升电阻率为18兆欧的纯水，升温至65℃，然后加入电子级500g氢氧化钠和12升电子级过氧化氢对单晶硅片表面进行再一次处理，反应温度为65℃，反应时间180~300秒。
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