[发明专利]制备SOI上双层隔离混合晶向后栅型反型模式SiNWFET的方法

摘要

本发明提供一种制备SOI上双层隔离混合晶向后栅型反型模式SiNWFET的方法。本发明采用第一半导体纳米线MOSFET为NMOSFET，第二半导体纳米线MOSFET为PMOSFET的结构设计，有效减小PMOSFET的接触孔电阻以提高PMOSFET性能。

主权项

一种制备SOI上双层隔离混合晶向后栅型反型模式SiNWFET的方法，其特征在于，包括以下顺序步骤：步骤1：在SOI顶层先后形成SiGe层、Si层和SiGe层和SOI硅片上的沟道区P型离子注入： 步骤2：对器件进行光刻工艺，刻蚀形成鳍形有源区，去除鳍形有源区中的SiGe层，形成SiNWFET沟道的硅纳米线； 步骤3：在器件上沉积隔离介质层； 步骤4：对下层NMOS进行源漏区离子注入和退火， 步骤5：在SiNWFET沟道的硅纳米线上方的隔离介质层上进行光刻和选择性刻蚀形成栅极沟槽，所述栅极沟槽中暴露出硅纳米线；步骤6：在对器件进行栅极氧化层工艺，在SiNW和衬底及源漏区域表面形成SiO2或SiON或高k介质层或其的混合层；再在栅极氧化层淀积栅极材料，对器件进行金属、半导体合金工艺处理形成下层SiNW反型模式NMOSFET结构；步骤7：在器件上沉积下层NMOSFET的ILD层，在ILD层表面、Si键合片和下面已制备有(100)/<110> SiNW NMOSFET的支撑片低温键合处理，使得ILD层上形成一(110)表面晶向Si层；步骤8：在上步骤形成的Si层上重复进行上述步骤1至6所述的步骤，形成上层SiNW反型模式PMOSFET结构，所述Si层选用N型离子进行沟道的离子掺杂；步骤9：通过后道金属互连工艺引出下层NMOSFET和上层PMOSFET各端口。