[发明专利]内存装置控制器及内存存取方法有效
申请号: | 201210134195.X | 申请日: | 2012-05-02 |
公开(公告)号: | CN102768861B | 公开(公告)日: | 2016-02-24 |
发明(设计)人: | 王嘉维 | 申请(专利权)人: | 联发科技股份有限公司 |
主分类号: | G11C29/44 | 分类号: | G11C29/44;G06F12/00 |
代理公司: | 北京万慧达知识产权代理有限公司 11111 | 代理人: | 于淼;张一军 |
地址: | 中国台湾新竹科*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明提供一种内存装置控制器以及内存存取方法。其中,所述的内存存取方法包括:选择存取内存的模式;当选择第一模式时,通过经标准路径执行标准操作来存取内存;以及当选择第二模式时,通过执行修复操作来存取内存。本发明提供的内存装置控制器具有模式选择单元,可在多个模式的至少一个模式中执行修复操作以降低数据输出错误率。 | ||
搜索关键词: | 内存 装置 控制器 存取 方法 | ||
【主权项】:
一种内存装置控制器,该内存装置控制器用于存取内存装置的内存,且该内存具有数据存储区域以及数据校正区域,该内存装置控制器包括:模式选择单元,用于根据该内存的操作电压来选择该内存装置控制器的模式;其中,当该内存在第一操作电压下工作时,该模式选择单元选择该内存装置控制器的第一模式,且在该第一模式下,该内存装置控制器将输入数据写入该数据存储区域以作为存储数据,且该内存装置控制器从该数据存储区域读出该存储数据以作为输出数据;以及其中,当该内存在第二操作电压下工作时,该模式选择单元选择该内存装置控制器的第二模式,且在该第二模式下,该内存装置控制器执行校正功能以对该输入数据进行编码以产生已编码输入数据、或者将该已编码输入数据中的输入数据及校验位数据分别写入该数据存储区域以及该数据校正区域以分别作为该存储数据以及校正数据、或者读出该存储数据及该校正数据以及对该存储数据及该校正数据进行译码以产生该输出数据。
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