[发明专利]浅沟槽隔离结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201210134249.2 | 申请日： | 2012-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN103377981A | 公开（公告）日： | 2013-10-30 |
| 发明（设计）人： | 宋化龙 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种浅沟槽隔离结构及其形成方法，其中所述浅沟槽隔离结构的形成方法包括：提供半导体衬底，在半导体衬底表面依次形成衬垫氧化层和硬掩膜层；去除部分硬掩膜层和衬垫氧化层并暴露出半导体衬底表面，以剩余的硬掩膜层和衬垫氧化层为掩膜，在半导体衬底内形成若干开口；在开口侧壁和底部形成衬垫层且衬垫层的材料为掺杂碳的硅、掺杂锗的硅或掺杂碳和锗的硅；在衬垫层表面形成与硬掩膜层表面齐平的绝缘层；去除硬掩膜层、衬垫氧化层以及高于半导体衬底表面的绝缘层。本发明所述浅沟槽隔离结构的形成方法提高了浅沟槽隔离结构的隔离效果，且由所述浅沟槽隔离结构所隔离的半导体衬底表面形成半导体器件时，所述半导体器件的工作性能稳定。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 隔离 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种浅沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底表面形成衬垫氧化层，在所述衬垫氧化层表面形成硬掩膜层；去除部分硬掩膜层和衬垫氧化层并暴露出半导体衬底表面，以剩余的硬掩膜层和衬垫氧化层为掩膜，在所述半导体衬底内形成若干开口；在所述开口侧壁和底部形成衬垫层，且所述衬垫层的材料为掺杂碳的硅、掺杂锗的硅或掺杂碳和锗的硅；在所述衬垫层表面形成绝缘层，且所述绝缘层与所述硬掩膜层表面齐平；去除硬掩膜层、衬垫氧化层以及高于半导体衬底表面的绝缘层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
