[发明专利]一种半导体结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201210134597.X | 申请日： | 2012-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN103377946A | 公开（公告）日： | 2013-10-30 |
| 发明（设计）人： | 尹海洲;朱慧珑;骆志炯 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京汉昊知识产权代理事务所(普通合伙) 11370 | 代理人： | 朱海波 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体结构的制造方法，该方法包括以下步骤：提供衬底，所述衬底从下至上依次包括基底层、掩埋隔离层、掩埋地层、超薄绝缘埋层、表面有源层；对所述掩埋地层进行离子注入掺杂；在所述衬底上形成栅极堆叠、侧墙和源/漏区；在所述衬底上形成覆盖所述栅极堆叠和源/漏区的掩膜层，刻蚀所述掩膜层以暴露出所述源区；刻蚀所述源区以及源区之下的超薄绝缘埋层，形成暴露出所述掩埋地层的开口；通过外延填充所述开口，以形成所述掩埋地层的接触塞。相应地，本发明还提供了一种半导体结构。本发明通过形成掩埋地层接触塞，将掩埋地层与源区电学连接，增强了半导体器件对阈值电压的控制能力，减小了短沟道效应，提高了器件性能，同时不必对掩埋地层做单独引出，节省了器件面积，简化了工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体结构的制造方法，该方法包括以下步骤：(a)提供衬底，所述衬底从下至上依次包括基底层、掩埋隔离层、掩埋地层、超薄绝缘埋层、表面有源层；(b)对所述掩埋地层进行离子注入掺杂；(c)在所述衬底上形成栅极堆叠、侧墙和源/漏区；(d)在所述衬底上形成覆盖所述栅极堆叠和源/漏区的掩膜层，刻蚀所述掩膜层以暴露出所述源区；(e)刻蚀所述源区以及源区之下的超薄绝缘埋层，形成暴露出所述掩埋地层的开口；(f)通过外延填充所述开口，以形成所述掩埋地层的接触塞。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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