[发明专利]超快恢复二极管无效
| 申请号： | 201210135173.5 | 申请日： | 2006-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN102683428A | 公开（公告）日： | 2012-09-19 |
| 发明（设计）人： | 理查德·弗朗西斯;李健;范杨榆;埃里克·约翰逊 | 申请（专利权）人： | 美商科斯德半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/872;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 李丙林;刘书芝 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及超快恢复二极管。一种超快二极管，其中超快二极管形成为平面构造，包括：第一极性的衬底；第一极性的轻掺杂层，连接至衬底；超快二极管的阴极，与轻掺杂层相对设置在衬底的表面上；金属化层，设置在轻掺杂层上作为超快二极管的阳极；彼此分离的多个阱，形成在轻掺杂层中，包括第二极性的掺杂质，其中，阱电连接至金属化层；以及多个JFET沟道区，位于多个阱中的各个阱之间，比轻掺杂层更重地掺杂第一极性，超快二极管被构造成使得在正向偏压条件下多数电流流过沟道区。该超快二极管保持软恢复特性并具有减少的反向恢复电荷。 | ||
| 搜索关键词： | 恢复 二极管 | ||
【主权项】：
一种超快二极管，其中所述超快二极管形成为平面构造，包括：第一极性的衬底；所述第一极性的轻掺杂层，连接至所述衬底；所述超快二极管的阴极，与所述轻掺杂层相对设置在所述衬底的表面上；金属化层，设置在所述轻掺杂层上作为所述超快二极管的阳极；彼此分离的多个阱，所述多个阱形成在所述轻掺杂层中，所述多个阱包括第二极性的掺杂质，其中，所述多个阱电连接至所述金属化层；以及多个JFET沟道区，位于所述多个阱中的各个阱之间，所述多个JFET沟道区比所述轻掺杂层更重地掺杂所述第一极性，所述超快二极管被构造成使得在正向偏压条件下多数电流流过所述JFET沟道区。
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