[发明专利]半导体结构及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201210135261.5 申请日: 2012-05-02
公开(公告)号: CN103383914A 公开(公告)日: 2013-11-06
发明(设计)人: 董立军;陈大鹏 申请(专利权)人: 中国科学院微电子研究所
主分类号: H01L21/28 分类号: H01L21/28;H01L21/336;H01L29/423;H01L29/08;H01L29/78
代理公司: 北京汉昊知识产权代理事务所(普通合伙) 11370 代理人: 朱海波
地址: 100029 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明提供一种半导体结构及其制造方法。通过沟道重建使得源/漏区(110)位于侧墙(240)两侧的部分的顶部高于栅堆叠结构和侧墙(240)的底部,并且所述源/漏区(110)在所述栅堆叠结构和侧墙(240)的底部之下横向扩展超过侧墙(240),达到所述栅堆叠结构的正下方,从而获得抬高源漏MOSFET。本发明大量减少工艺步骤,提高效率并降低成本。
搜索关键词: 半导体 结构 及其 制造 方法
【主权项】:
一种半导体结构的制造方法,该方法包括以下步骤:a)提供衬底(100);b)在所述衬底(100)上形成伪栅堆叠以及源/漏区(110);所述伪栅堆叠至少包括伪栅极(210);所述源/漏区(110)位于所述伪栅堆叠的两侧并延展至所述伪栅堆叠的正下方;c)形成覆盖所述衬底、源/漏区以及伪栅堆叠的层间介质层(300);d)去除所述层间介质层(300)的一部分以暴露所述伪栅堆叠;e)去除所述伪栅堆叠,以及位于所述伪栅堆叠正下方的衬底的一部分,以形成开口(230);所述开口(230)的正下方保留部分源/漏区;f)形成附着于所述开口(230)内侧壁的侧墙(240);g)在开口(230)底部形成栅介质层(250)并填充导电材料(260),形成栅堆叠结构。
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