[发明专利]一种LED芯片及其相应的制作方法无效
| 申请号： | 201210135397.6 | 申请日： | 2012-05-03 |
| 公开（公告）号： | CN102646765A | 公开（公告）日： | 2012-08-22 |
| 发明（设计）人： | 张昊翔;封飞飞;高耀辉;万远涛;金豫浙;李东昇;江忠永 | 申请（专利权）人： | 杭州士兰明芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/44 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 310018 浙江省杭州市杭*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提出一种LED芯片，至少包括：外延层，所述外延层包括N型层、位于所述N型层上的发光层、及位于所述发光层上的P型层；金属功能层，所述金属功能层位于所述P型层上；银迁移阻挡层，所述银迁移阻挡层位于所述P型层上，且位于所述金属功能层外围。本发明还提供了LED芯片的制作方法，以解决反射镜层的扩散和电迁移，改善LED的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 led 芯片 及其 相应 制作方法 | ||
【主权项】：
一种LED芯片的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：提供一衬底，在所述衬底的表面上形成外延层，所述外延层由下至上依次沉积包含有N型层、发光层和P型层；刻蚀P型层、发光层，形成由上至下贯穿P型层、发光层、直到N型层的台阶；沉积绝缘材料覆盖所述台阶侧面、所述N型层和所述P型层，通过刻蚀P型层表面的绝缘材料形成银迁移阻挡层和窗口，每个窗口底部暴露出P型层；在所述每个窗口形成金属功能层。
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