[发明专利]传输门有效
| 申请号： | 201210135412.7 | 申请日： | 2012-05-02 |
| 公开（公告）号： | CN102761327A | 公开（公告）日： | 2012-10-31 |
| 发明（设计）人： | 贾科莫·库拉托洛 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H03K19/0185 | 分类号： | H03K19/0185 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 余刚;吴孟秋 |
| 地址： | 德国瑙伊*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明公开了一种传输门，其包括第一传输路径端子和第二传输路径端子、串联连接的第一场效应晶体管（FET）和第二场效应晶体管，以及控制电路。第一FET和第二FET的沟道在第一传输路径端子和第二传输路径端子之间串联地耦接，使得第一FET的沟道触点耦接至第二传输路径端子且第二FET的沟道触点耦接至第一传输路径端子。控制电路被构造为，提供用于第一FET的栅极触点的控制电压并提供用于第二FET的栅极触点的控制电压，使得用于第一FET的栅极触点的控制电压在传输门断开的状态下以第一传输路径端子处的电压为基础，并使得用于第二FET的栅极触点的控制电压在传输门断开的状态下以第二传输路径端子处的电压为基础。 | ||
| 搜索关键词： | 传输 | ||
【主权项】：
一种用于选择性地建立传输路径的传输门，所述传输门包括：第一传输路径端子和第二传输路径端子；串联连接的第一场效应晶体管和第二场效应晶体管，其中，所述第一场效应晶体管的沟道和所述第二场效应晶体管的沟道在所述第一传输路径端子和所述第二传输路径端子之间串联地耦接，使得所述第一场效应晶体管的沟道触点耦接至所述第二传输路径端子且所述第二场效应晶体管的沟道触点耦接至所述第一传输路径端子；以及控制电路，被构造为，提供用于所述第一场效应晶体管的栅极触点的控制电压和用于所述第二场效应晶体管的栅极触点的控制电压，使得用于所述第一场效应晶体管的所述栅极触点的所述控制电压在所述传输门断开的状态下以所述第一传输路径端子处的电压为基础，并使得用于所述第二场效应晶体管的所述栅极触点的所述控制电压在所述传输门断开的状态下以所述第二传输路径端子处的电压为基础。
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