[发明专利]双层隔离混合晶向应变纳米线MOSFET有效
| 申请号： | 201210135949.3 | 申请日： | 2012-05-04 |
| 公开（公告）号： | CN102683412A | 公开（公告）日： | 2012-09-19 |
| 发明（设计）人： | 黄晓橹 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/10;H01L21/336;H01L27/092;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 王敏杰 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供的双层隔离混合晶向应变纳米线MOSFET，包括依次形成在半导体衬底上的第一MOSFET、隔离介质层和第二MOSFET，所述第一MOSFET和第二MOSFET的第一源极衬垫和第一漏极衬垫、第二源极衬垫和第二漏极衬垫为锗硅层，所述第一源极区和第一漏极区生长锗硅层，所述第二源极区和第二漏极区生长碳硅层。本发明的由于采用湿法刻蚀SiGe层，可以很好地控制硅纳米线区域下方的空洞层制作工艺。本发明增大NMOSFET载流子电子的迁移率和PMOSFET载流子空穴的迁移率，增大了CMOS的电流驱动能力；第一MOSFET和第二MOSFET可以完全独立进行工艺调试。 | ||
| 搜索关键词： | 双层 隔离 混合 应变 纳米 mosfet | ||
【主权项】：
一种双层隔离混合晶向应变纳米线MOSFET，包括依次形成在半导体衬底上的第一MOSFET、隔离介质层和第二MOSFET，所述第一MOSFET包括第一源极区、第一漏极区、分别设置在第一源极区和第一漏极区下并与第一源极区和第一漏极区连接的第一源极衬垫和第一漏极衬垫、第一栅极区、横向贯穿于所述第一栅极区并设置在所述第一源极区与所述第一漏极区之间的第一半导体纳米线和环包设置在所述第一半导体纳米线外侧并介于第一半导体纳米线与第一栅极区之间的第一栅氧化层，所述第二MOSFET包括第二源极区、第二漏极区、分别设置在第二源极区和第二漏极区下并与第二源极区和第二漏极区连接的第二源极衬垫和第二漏极衬垫、第二栅极区、横向贯穿于所述第二栅极区并设置在所述第二源极区与所述第二漏极区之间的第二半导体纳米线和环包设置在所述第二半导体纳米线外侧并介于所述第二半导体纳米线与所述第二栅极区之间的第二栅氧化层，其特征在于，所述第一源极衬垫和第一漏极衬垫、第二源极衬垫和第二漏极衬垫为锗硅层，所述第一源极区和第一漏极区生长锗硅层，所述第二源极区和第二漏极区生长碳硅层。
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