[发明专利]场发射装置有效
| 申请号： | 201210135961.4 | 申请日： | 2012-05-04 |
| 公开（公告）号： | CN103383909A | 公开（公告）日： | 2013-11-06 |
| 发明（设计）人： | 柳鹏;姜开利;范守善 | 申请（专利权）人： | 清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 |
| 主分类号： | H01J1/304 | 分类号： | H01J1/304;B82Y10/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100084 北京市海淀区清*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种场发射装置，其包括：一碳纳米管结构以及两个电极分别与该碳纳米管结构电连接，该碳纳米管结构进一步包括：一碳纳米管阵列，该碳纳米管阵列包括多个平行设置的第二碳纳米管；一碳纳米管层设置于该碳纳米管阵列的一侧，该碳纳米管层包括多个第一碳纳米管，该碳纳米管层与所述碳纳米管阵列中多个第二碳纳米管的一端接触；以及多个第三碳纳米管至少缠绕设置于所述碳纳米管层与碳纳米管阵列之间；两个电极分别与该碳纳米管结构电连接。 | ||
| 搜索关键词： | 发射 装置 | ||
【主权项】：
一种场发射装置，其包括：一碳纳米管结构以及两个电极分别与该碳纳米管结构电连接，该碳纳米管结构进一步包括：一碳纳米管阵列，该碳纳米管阵列包括多个平行设置的第二碳纳米管；一碳纳米管层设置于该碳纳米管阵列的一侧，该碳纳米管层包括多个第一碳纳米管，该碳纳米管层与所述碳纳米管阵列中多个第二碳纳米管的一端接触；以及多个第三碳纳米管至少缠绕设置于所述碳纳米管层与碳纳米管阵列之间。
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