[发明专利]一种提高静态随机存储器读出冗余度的方法有效
| 申请号： | 201210135994.9 | 申请日： | 2012-05-04 |
| 公开（公告）号： | CN102683288A | 公开（公告）日： | 2012-09-19 |
| 发明（设计）人： | 俞柳江 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8244 | 分类号： | H01L21/8244 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 王敏杰 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种提高静态随机存储器读出冗余度的方法，其中，包括下列步骤：提供一包括NMOS晶体管、PMOS晶体管和控制管的半导体衬底；在所述PMOS晶体管和所述控制管的表面覆盖一层光刻胶，并且对所述NMOS晶体管进行刻蚀，去除掉所述源极和漏极的硅，在所述NMOS晶体管的源极和漏极形成凹槽；进行外延生长碳化硅工艺，在所述凹槽内淀积碳化硅（SiC）。本发明在不增加现有工艺步骤的同时，降低了控制管器件的载流子迁移率，从而增大了控制管的等效电阻，进而在读取过程中，降低了节点的电位，从而提高了随机存储器的读出冗余度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 静态 随机 存储器 读出 冗余 方法 | ||
【主权项】：
一种提高静态随机存储器读出冗余度的方法，其特征在于，包括下列步骤：提供一包括NMOS晶体管、PMOS晶体管和控制管的半导体衬底；在所述PMOS晶体管和所述控制管的表面覆盖一层光刻胶，并且对所述NMOS晶体管进行刻蚀，去除掉所述源极和漏极的硅，在所述NMOS晶体管的源极和漏极形成凹槽；进行外延生长碳化硅工艺，在所述凹槽内淀积碳化硅（SiC）。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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