[发明专利]一种提高金属-绝缘体-金属电容器可靠性的方法及其工艺结构

摘要

本发明公开了一种提高金属-绝缘体-金属(MIM)电容器可靠性的方法，其中，包括以下步骤：在衬底上依次淀积一层第一金属介电层、金属层、刻蚀停止层和第二金属介电层；在第二金属介电层中形成第一通孔和第二通孔，并在其表面覆盖一层底部抗反射层；在第二通孔上制作多层沟槽，形成底部宽度逐渐增大的层叠沟槽；将多层沟槽的底部制作成第一倒角，第一通孔与第二金属介电层接触顶端和多层沟槽之间的连接处制作成第二倒角；刻蚀第一通孔和第二通孔至第一金属介电层表面停止，在第二金属介电层表面从上往下依次形成上电极、绝缘膜以及下电极。本发明还公开了一种提高MIM电容器可靠性的方法的工艺结构。本发明提高MIM电容器件的可靠性。

主权项

一种提高金属‑绝缘体‑金属电容器可靠性的方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一衬底，在所述衬底上淀积一层第一金属介电层；在所述第一金属介电层上有一凹槽，在所述凹槽中淀积金属层；在所述第一金属介电层和所述金属层上依次沉积一层刻蚀停止层和第二金属介电层；在所述第二金属介电层中形成第一通孔和第二通孔；在所述第一通孔和第二通孔以及所述第二金属介电层表面覆盖一层底部抗反射层；在所述第二通孔上制作多层沟槽，形成底部宽度逐渐增大的层叠沟槽，将所述多层沟槽的底部制作成第一倒角，所述第一通孔与所述第二金属介电层接触顶端和所述多层沟槽之间的连接处制作成第二倒角；刻蚀所述第一通孔和所述第二通孔至所述第一金属介电层表面停止，在所述第一通孔、所述第二通孔、所述层叠沟槽、所述第一金属介电层以及所述第二金属介电层表面从上往下依次形成上电极、绝缘膜以及下电极。