[发明专利]混合晶向反型模式半导体纳米线MOSFET有效
| 申请号： | 201210136029.3 | 申请日： | 2012-05-04 |
| 公开（公告）号： | CN102683413A | 公开（公告）日： | 2012-09-19 |
| 发明（设计）人： | 黄晓橹;葛洪涛 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/10;H01L21/336;H01L27/092;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 王敏杰 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供的一种双层隔离的混合晶向反型模式半导体纳米线MOSFET，包括依次形成在半导体衬底上的第一MOSFET、隔离介质层和第二MOSFET，第一MOSFET为PMOSFET，第二MOSFET为NMOSFET，第二MOSFET的沟道材料为表面晶向为（100）的硅纳米线，第二MOSFET的沟道方向为<110>，第一MOSFET的沟道材料为表面晶向为（110）的硅纳米线，第一MOSFET的沟道方向为<110>。本发明双层MOSFET完全独立进行工艺调试；与常规MOSFET工作模式兼容，有利于电路设计；具有较高的器件集成密度；上层器件制备采用低温技术以及激光退火，可以有效避免影响下层器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 混合 模式 半导体 纳米 mosfet | ||
【主权项】：
一种混合晶向反型模式半导体纳米线MOSFET，包括依次形成在半导体衬底上的第一MOSFET、隔离介质层和第二MOSFET，所述第一MOSFET包括第一源极区、第一漏极区、第一栅极区、横向贯穿于所述第一栅极区并设置在所述第一源极区与所述第一漏极区之间的第一半导体纳米线和环包设置在所述第一半导体纳米线外侧并介于第一半导体纳米线与第一栅极区之间的第一栅氧化层，所述第二MOSFET包括第二源极区、第二漏极区以及第二栅极区、横向贯穿于所述第二栅极区并设置在所述第二源极区与所述第二漏极区之间的第二半导体纳米线和环包设置在所述第二半导体纳米线外侧并介于所述第二半导体纳米线与所述第二栅极区之间的第二栅氧化层，其特征在于，所述第一MOSFET为PMOSFET，所述第二MOSFET为NMOSFET，所述第一MOSFET的沟道材料为表面晶向为（110）的硅纳米线，所述第一MOSFET的沟道方向为<110>，所述第二MOSFET的沟道材料为表面晶向为（100）的硅纳米线，所述第二MOSFET的沟道方向为<110>。
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