[发明专利]一种制备nip结构非晶硅薄膜太阳能电池的方法

摘要

本发明公开了一种采用箱体式等离子体增强化学气相沉积设备制备nip结构硅基薄膜电池的方法，涉及真空镀膜方法领域，主要解决制备nip结构电池的技术方法中由于无法彻底冲洗掺杂元素磷而导致残余磷元素对本征i层产生影响的问题。一种制备nip结构非晶硅薄膜太阳能电池的方法，其特征在于：以相邻的三个激发电极作为一组，中间的那个激发电极用于依次制备n、i、p层，在n层制备结束后该激发电极停止工作，而与之相邻的两个激发电极开启射频信号产生等离子体场开始对等离子体箱进行清洗，清洗结束后中间的激发电极恢复工作，依次沉积i、p层。该方法步骤简单，实现成本低，本征i层受污染程度很小，可广泛用于nip结构电池的制备。

主权项

一种制备nip结构非晶硅薄膜太阳能电池的方法，其方案为：采用箱体式PECVD设备，在制备过程中使用包括硅烷、锗烷和氢气的源混合气体，真空室内的气压维持在300mT—1000mT之间，将基板置于平行板状电极的表面，且基板的温度保持在160‑220℃之间；其特征在于：在基板上制备非晶硅太阳能电池，等离子体箱中以相邻的三个激发电极作为一组，中间的那个激发电极用于依次制备n、i、p层，在n层制备结束后该激发电极停止工作并将整个真空腔体内包括等离子体箱内的反应气体置换为具有刻蚀功能的气体并且使得真空腔体处于封闭状态，而另外两个激发电极开启射频信号产生等离子体场开始对等离子体箱进行清洗，清洗结束后旁边的这两个激发电极停止工作，将清洗用的气体排出腔体，通入反应气体，并将中间的激发电极恢复工作，依次沉积i、p层，制备nip结构电池；对于多结电池，每次n层沉积结束后均需要重复该清洗工作。