[发明专利]一种功率器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201210136758.9 | 申请日： | 2012-05-02 |
| 公开（公告）号： | CN102637743A | 公开（公告）日： | 2012-08-15 |
| 发明（设计）人： | 张邵华;俞国强 | 申请（专利权）人： | 杭州士兰微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336;H01L21/265 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 310012*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供一种功率器件及其制造方法，通过在器件电流集中区域的局部调整，去除部分发射区第一类型区，使发射区第一类型区形成间隔分布，消除电子注入，防止发射区第一类型区、沟道区和外延层、集电区第二类型区构成的PN结正向导通，避免了由发射区第一类型区、沟道区、外延层和集电区构成寄生晶闸管开启，由于不需要额外增加工艺步骤，有利于降低工艺成本，进一步地，本发明基于SOI衬底的功率器件及其制造方法中，有多种实现形式，可以在实际中灵活使用，涉及到的器件调整只限于局部，大大降低了对器件整体性能的影响，在维持器件原有特性和尺寸的基础上，提高了器件在大电流下的抗闩锁能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 功率 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种功率器件，包括：衬底，在所述衬底中形成有阱区；第一类型的缓冲区，设置于所述阱区中；集电区，包括集电区第二类型区，所述集电区设置于所述缓冲区中；沟道区，设置于所述衬底中，并环绕所述阱区；发射区，设置于所述沟道区中；其特征在于，所述集电区流向发射区的电流分为电流均匀分布区和电流集中分布区，在所述电流集中分布区内抑制所述发射区与所述集电区之间发射载流子的效率。
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