[发明专利]在金属表面制备具有pH响应性的高分子膜的方法有效
申请号: | 201210137104.8 | 申请日: | 2012-05-07 |
公开(公告)号: | CN103215577A | 公开(公告)日: | 2013-07-24 |
发明(设计)人: | 马宏伟;王秀梅;蔡桂鑫;张慎 | 申请(专利权)人: | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
主分类号: | C23C22/02 | 分类号: | C23C22/02;C08F112/08;C08F120/28 |
代理公司: | 西安创知专利事务所 61213 | 代理人: | 谭文琰 |
地址: | 215123 江苏省苏州市苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种在金属表面制备具有pH响应性的高分子膜的方法,该方法为:步骤一、在洁净的金属基片表面自组装端基α位含卤素的硫缩醛分子,得到自组装单分子层金属基片;二、将自组装单分子层金属基片置于含催化剂的单体溶液中,在惰性气体保护下反应,使自组装单分子层金属基片表面形成高分子膜;三、将表面形成高分子膜的金属基片用无水乙醇洗涤后用氮气吹干,得到表面具有pH响应性的高分子膜的金属基片。采用本发明的方法制备的高分子膜具有良好的稳定性,耐有机溶剂,当所处溶液pH值大于一临界值时高分子膜无明显变化,而当溶液的pH值小于一定值时高分子膜能够迅速从金属表面脱附,因此可作为靶向传输的载体材料。 | ||
搜索关键词: | 金属表面 制备 具有 ph 响应 高分子 方法 | ||
【主权项】:
1.一种在金属表面制备具有pH响应性的高分子膜的方法,其特征在于,该方法包括以下步骤:步骤一、在洁净的金属基片表面自组装具有通式1的端基α位含卤素的硫缩醛分子,得到自组装单分子层金属基片;
式中:R1是烃基,或者是末端带羟基、羧基或甲氧基的烃基,R2是烃基,X是卤素;步骤二、将步骤一中所述自组装单分子层金属基片置于含催化剂的单体溶液中,在惰性气体保护下反应1h~48h,使自组装单分子层金属基片表面形成高分子膜;所述单体为苯乙烯和/或甲基丙烯酸酯类;所述单体溶液中单体的浓度为1μM~1mM;所述单体溶液的溶剂为正己烷、甲苯、甲醇、乙醇和水中的一种或几种;所述催化剂为联吡啶、五甲基二亚乙基三胺、氯化铜和抗坏血酸中的一种或几种;所述催化剂的摩尔量为单体摩尔量的1/15~1/5;步骤三、将步骤二中表面形成高分子膜的金属基片用无水乙醇洗涤后用氮气吹干,得到表面具有pH响应性的高分子膜的金属基片。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C22-00 表面与反应液反应、覆层中留存表面材料反应产物的金属材料表面化学处理,例如转化层、金属的钝化
C23C22-02 .使用非水溶液的
C23C22-05 .使用水溶液的
C23C22-70 .使用熔体
C23C22-73 .以工艺为特征的
C23C22-78 .待镀覆材料的预处理
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