[发明专利]非易失性存储器件有效

专利信息
申请号: 201210137572.5 申请日: 2012-05-07
公开(公告)号: CN103000225B 公开(公告)日: 2017-03-01
发明(设计)人: 任爀祥;金光锡;宋泽相;朴哲贤 申请(专利权)人: 海力士半导体有限公司
主分类号: G11C16/26 分类号: G11C16/26
代理公司: 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙)11363 代理人: 俞波,郭放
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 一种非易失性存储器件包括存储器单元,所述存储器单元包括电阻可变器件和用于控制流经所述电阻可变器件的电流的开关单元;读取参考电压发生器,所述读取参考电压发生器被配置成根据在所述开关单元中发生的歪斜而产生参考电压;以及感测放大器,所述感测放大器被配置成基于所述参考电压来感测对应于流经所述电阻可变器件的电流的电压。
搜索关键词: 非易失性存储器
【主权项】:
一种非易失性存储器件,包括:第一比较器,所述第一比较器被配置成比较第一感测电压与第一参考电压并产生第一比较信号;第一驱动器,所述第一驱动器被配置成响应于所述第一比较信号而用第一电源电压来驱动第一感测电压端子;存储器单元,所述存储器单元耦接在所述第一感测电压端子与第二电源电压端子之间并且包括串联耦接的电阻可变器件和第一开关;第二开关,所述第二开关耦接在第一参考电压端子与分压端子之间并且与所述第一开关相同;电阻器,所述电阻器经由所述第二开关耦接至所述分压端子并且耦接至所述第二电源电压端子;第二比较器,所述第二比较器被配置成比较分压与第二参考电压并且产生第二比较信号;以及第二驱动器,所述第二驱动器被配置成响应于所述第二比较信号而用所述第一电源电压来驱动所述第一参考电压端子。
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