[发明专利]一种熔盐电解去除硅中硼和磷杂质的方法有效

专利信息
申请号: 201210137782.4 申请日: 2012-05-04
公开(公告)号: CN102851679A 公开(公告)日: 2013-01-02
发明(设计)人: 罗学涛;方明;蔡靖;李锦堂;余德钦;林彦旭;卢成浩 申请(专利权)人: 厦门大学
主分类号: C25B1/00 分类号: C25B1/00;C01B33/02
代理公司: 厦门南强之路专利事务所 35200 代理人: 马应森
地址: 361005 *** 国省代码: 福建;35
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摘要: 一种熔盐电解去除硅中硼和磷杂质的方法,涉及多晶硅材料的提纯方法。提供一种选择性高、工艺简单的熔盐电解去除硅中硼和磷杂质的方法。Si-M合金阳极的制备,电解质预处理,电解槽组装,熔盐电解提纯多晶硅。采用真空熔炼Si-M合金,作为可溶性阳极;以复合氯化物-氧化物复合熔盐作为新型低温电解质体系;以金属、硬质合金、太阳能级多晶硅或高纯石墨作为阴极。进一步降低了电解温度和电解电压,保证了电解过程的高效、稳定、低能耗运行,对多晶硅中杂质元素B和P的高选择性提纯。
搜索关键词: 一种 电解 去除 硅中硼 杂质 方法
【主权项】:
一种熔盐电解去除硅中硼和磷杂质的方法,其特征在于包括以下步骤:1)Si‑M合金阳极的制备(1)取金属Si粉和金属M粉为原料混合均匀装入坩埚,置于熔炼炉中,先开机械泵抽真空至950~1050Pa,接着开罗茨泵抽真空至9~11Pa,接通电源加热,通入冷却循环水,石墨发热体进行加热Si粉和金属M粉;(2)温度升高到700℃后,先关闭罗茨泵,接着关闭机械泵,通入氩气,待温度升高到目标温度后,保温2h,将熔体直接倒入石墨模具中冷却制得Si‑M合金阳极;2)电解质预处理(1)选用氯化物‑氧化物熔盐MeClx‑Me’yOz体系作为电解质,将氯化物电解质进行干燥除湿预处理,其中氧化物电解质中的Me’y(CO3)z杂质进行煅烧处理;(2)向电解质中添加SiO2粉或Si粉后,采用高能行星球磨混合均匀;3)电解槽组装(1)将制得的Si‑M合金破碎,称取Si‑M合金置于玻璃碳坩埚底部,作为电解槽的阳极,以金属、硬质合金、太阳能级多晶硅或石墨作为阴极;(2)加入混合均匀的氯化物‑氧化物熔盐MeClx‑Me’yOz电解质,阴极材料置于电解质上,将玻璃碳坩埚滑入石英管底部,热电偶通过水冷铜法兰放入石英管内,调整高度后再固定;通气刚玉管固定,以确保位于阴极层上方;(3)用螺丝和涂有真空脂的O型圈将石英管顶部上下水冷铜法兰密封,完成电解槽的组装;4)熔盐电解提纯多晶硅(1)电解槽底部接通电源阳极,上层金属或非金属衬底接通电源阴极,对电解槽进行加热电解;(2)电解结束后,降温;(3)待电解反应结束降温后,取出工作电极,将电极上的沉积硅产物进行破碎、筛分,然后酸洗除去金属杂质,最后用去离子水清洗;(4)将得到的高纯硅干燥后,进行含量测试。
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