[发明专利]提高静态随机存储器写入冗余度的方法无效
| 申请号： | 201210137955.2 | 申请日： | 2012-05-04 |
| 公开（公告）号： | CN102664167A | 公开（公告）日： | 2012-09-12 |
| 发明（设计）人： | 俞柳江 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8244 | 分类号： | H01L21/8244 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 陆花 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种提高静态随机存储器写入冗余度的方法。所述静态随机存储器包括输入/输出器件以及核心器件，并且其中所述核心器件包括上拉管器件，所述输入/输出器件用于芯片与外围电路的信号输入及输出，并且所述输入/输出器件的栅极氧化层的厚度大于核心器件的栅极氧化层的厚度。所述提高静态随机存储器写入冗余度的方法包括：使上拉管器件的栅极氧化层的厚度大于其它核心器件的栅极氧化层的厚度。可使上拉管器件的栅极氧化层的厚度等于输入/输出器件的栅极氧化层的厚度。例如，在制备上拉管器件的栅极氧化层时，不移除之前生长的用于输入/输出器件的栅极氧化层，使得上拉管器件最终采用输入/输出器件的栅极氧化层作为其栅极氧化层。 | ||
| 搜索关键词： | 提高 静态 随机 存储器 写入 冗余 方法 | ||
【主权项】：
一种提高静态随机存储器写入冗余度的方法，所述静态随机存储器包括输入/输出器件以及核心器件，并且其中所述核心器件包括上拉管器件，所述输入/输出器件用于芯片与外围电路的信号输入及输出，并且所述输入/输出器件的栅极氧化层的厚度大于核心器件的栅极氧化层的厚度，其特征在于所述提高静态随机存储器写入冗余度的方法包括：使上拉管器件的栅极氧化层的厚度大于其它核心器件的栅极氧化层的厚度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
