[发明专利]一种LDMOS器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201210138032.9 | 申请日： | 2012-05-04 |
| 公开（公告）号： | CN102646712A | 公开（公告）日： | 2012-08-22 |
| 发明（设计）人： | 吕宇强;杨海波 | 申请（专利权）人： | 上海先进半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 200233 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种LDMOS器件。本发明提供的LDMOS器件，通过对漂移区横向浓度进行线性优化，并结合具有一定角度的场氧结构和阶梯场板结构，改善了高耐压与低导通电阻的矛盾关系，是一种高性能的集成LDMOS器件，另外此本发明的LDMOS器件层次简单，易于实现工艺集成化。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 ldmos 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种LDMOS器件，其特征在于，包括：半导体衬底，所述半导体衬底包括第一区及第二区；形成于所述半导体衬底中的漂移区，所述漂移区的掺杂浓度为线性变化；位于第一区和第二区相交处的漏极；位于所述漂移区表面的源极和栅极，且所述漏极两侧均形成有源极和栅极；位于所述漂移区表面的场氧，且所述场氧位于所述源极和所述漏极之间；位于所述场氧上的阶梯场板；其中，所述第一区和第二区呈轴对称。
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