[发明专利]阵列基板的制作方法、阵列基板和显示装置有效
申请号: | 201210138055.X | 申请日: | 2012-05-04 |
公开(公告)号: | CN102709240A | 公开(公告)日: | 2012-10-03 |
发明(设计)人: | 张元波 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/77 | 分类号: | H01L21/77;H01L27/12;G02F1/1362;G02F1/1368 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 许静;黄灿 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明提供一种阵列基板的制作方法、阵列基板和显示装置,用以解决现有薄膜晶体管器件的制作存在加工成本较高,加工时间较长,且容易产生掺杂结构偏移的问题。该制作方法包括:在基板上形成第一多晶硅岛和第二多晶硅岛;在第一多晶硅岛的上方形成栅电极,在第二多晶硅岛的上方形成与栅电极连接的栅极线;将第一多晶硅岛上未被栅电极覆盖的区域和第二多晶硅岛上未被栅极线覆盖的区域形成欧姆接触区;形成与欧姆接触区连接的源极和漏极以及与栅极线垂直交叉并与漏极连接的数据线;在栅极线与数据线交叉围成的区域上,形成与源极连接的像素电极。该技术方案减少了加工成本,缩短了加工时间,改善了现有技术容易产生掺杂结构偏移的缺点。 | ||
搜索关键词: | 阵列 制作方法 显示装置 | ||
【主权项】:
一种阵列基板的制作方法,其特征在于,包括:在基板上形成第一多晶硅岛和第二多晶硅岛,所述第一多晶硅岛的一端与所述第二多晶硅岛的一端垂直连接;在所述第一多晶硅岛的上方形成栅电极,在所述第二多晶硅岛的上方形成与所述栅电极连接的栅极线;将所述第一多晶硅岛上未被所述栅电极覆盖的区域和所述第二多晶硅岛上未被所述栅极线覆盖的区域形成欧姆接触区;形成与所述欧姆接触区连接的源极和漏极以及与所述栅极线垂直交叉并与所述漏极连接的数据线,其中,所述源极位于所述第一多晶硅岛的上方,所述漏极和所述数据线位于所述第二多晶硅岛的上方;在所述栅极线与所述数据线交叉围成的区域上,形成与所述源极连接的像素电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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