[发明专利]一种高钝化异质结单晶硅薄膜太阳能电池

摘要

本发明为一种可优化提升单晶硅太阳电池转化效率的新颖发明，利用非晶硅在单晶硅上面的沈积成膜搭配，形成异质结结构，而非晶硅与透明导电膜沈积的顺序影响硅片表面钝化程度，此将直接影响器件的光电转换效率，而本发明即为提出此沈积顺序以形成最佳的单晶硅表面钝化作用以及减少表面污染的影响，进而达到高钝化的异质结单晶硅薄膜。

主权项

本发明为一种可优化提升单晶硅太阳电池转化效率的新颖发明，利用非晶硅在单晶硅上面的沈积成膜搭配，形成异质结结构，而非晶硅与透明导电膜沈积的顺序，则为达成高效率的重要途径，而本发明即为提出此沈积顺序以形成最佳的单晶硅表面钝化作用以及减少表面污染的影响，进而达到高效率的异质结单晶硅薄膜，流程为先在清洗制绒后的N型单晶硅(1)的正面利用等离子增强式化学气相沉积设备沉积I型氢化非晶硅薄膜(2)，接下来将整个硅片翻面，于背面依序沈积I型氢化非晶硅薄膜(2) 与N型氢化非晶硅薄膜(4)，接下来将整个硅片翻面，于正面沈积P型氢化非晶硅薄膜(3)，接着再利用磁控溅射或是反应式物理气相沈积设备，先在P型非晶硅薄膜(3)上沈积透明导电膜(5)，接着于N型非晶硅薄膜(4)上沈积透明导电膜(5)，最后利用网版印刷于正背面将银导线(6)布上，及完成此高钝化异质结单晶硅薄膜太阳电池。