[发明专利]一种监控MOS器件阈值电压漂移的方法有效
| 申请号： | 201210139336.7 | 申请日： | 2012-05-08 |
| 公开（公告）号： | CN103390568A | 公开（公告）日： | 2013-11-13 |
| 发明（设计）人： | 陈清 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 唐立;李浩 |
| 地址： | 214028 无锡市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种监控MOS器件阈值电压漂移的方法，属于半导体器件的测试技术领域。该方法中，在栅介质层制备完成后，在线监测该硅片的Qtot和/或Dit值，并通过Qtot和/或Dit值预测该硅片所制备的MOS器件的阈值电压漂移；其中，Qtot表示所述栅介质层内部的所有电荷，Dit表示所述栅介质层与硅衬底之间的界面态密度。该监控方法时效性好，有利于减少因阈值电压漂移对产品良率产生的影响。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 监控 mos 器件 阈值 电压 漂移 方法 | ||
【主权项】：
一种监控MOS器件阈值电压漂移的方法，其特征在于，在栅介质层制备完成后，在线监测该硅片的Qtot和/或Dit值，并通过Qtot和/或Dit值预测该硅片所制备的MOS器件的阈值电压漂移；其中，Qtot表示所述栅介质层内部的所有电荷，Dit表示所述栅介质层与硅衬底之间的界面态密度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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