[发明专利]一种悬空硅热敏电阻加工方法

摘要

本发明公开了一种悬空硅热敏电阻加工方法，属于微机电系统技术领域。该方法先刻蚀背腔，再完成悬空热敏电阻和其金属导线的制作。与现有技术相比，本发明：1.采用硅作为热敏材料，提高热敏电阻的电阻温度系数。2.经本方法可以加工悬空长度达1.3mm的热敏电阻，提高了气流检测的灵敏度、响应时间和以及热敏电阻的成品率，增大了悬空距离，达到毫米量级。3.加工过程中采用先刻蚀出背腔，再刻蚀热敏电阻，因不需要二次保护，简化了工艺步骤，提高了成品率。4.基于标准MEMS工艺加工悬空热敏电阻，易于实现大批量生产。

主权项

一种悬空硅热敏电阻加工方法，包括以下步骤：步骤1，清洗SOI硅片，去除表面原生氧化层、有机物污染，然后干燥；步骤2，以SOI硅片作为基片，在基底层磁控溅射一层ICP刻蚀掩膜，作为刻蚀背腔的掩膜；步骤3，光刻，湿法腐蚀ICP刻蚀掩膜，得到图形化的刻蚀背腔掩膜，去除光刻胶；步骤4，ICP刻蚀SOI基底层至埋氧层，加工出背腔；去除ICP刻蚀掩膜；步骤5，在SOI硅片器件层硅热氧化一层二氧化硅作为绝缘层；步骤6，光刻，湿法腐蚀二氧化硅，得到欧姆接触窗口，作为离子注入的掩膜；去除光刻胶；步骤7，离子注入形成欧姆接触区域，降低器件层硅与金属导线层接触面的电阻值；步骤8，光刻，湿法腐蚀二氧化硅，作为器件层与金属导线层之间的绝缘层；去除光刻胶；步骤9，在SOI硅片器件层硅磁控溅射一层金属膜，作为金属导线层。步骤10，光刻，湿法腐蚀金属膜，得到金属导线，去除光刻胶；步骤11，热处理，通过欧姆接触窗口形成金属导线层与器件层硅之间的欧姆接触，划片；步骤12，光刻，ICP刻蚀器件层硅，去除光刻胶，得到悬空硅热敏电阻。