[发明专利]一种自适应复合机制隧穿场效应晶体管及其制备方法有效
| 申请号： | 201210139560.6 | 申请日： | 2012-05-08 |
| 公开（公告）号： | CN102664192A | 公开（公告）日： | 2012-09-12 |
| 发明（设计）人： | 黄如;黄芊芊;詹瞻;邱颖鑫;王阳元 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/08;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京万象新悦知识产权代理事务所(普通合伙) 11360 | 代理人： | 贾晓玲 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种隧穿场效应晶体管及其制备方法，属于CMOS超大集成电路（ULSI）中的场效应晶体管逻辑器件与电路领域。本发明的核心是：对于N型晶体管，掺杂源区在N-掺杂的基础上，在靠近控制栅边缘的一侧又注入P+，使得该注入部分原有的N-掺杂完全被补偿为P+；对于P型晶体管，掺杂源区在P-掺杂的基础上，在靠近控制栅边缘的一侧又注入N+，使得该注入部分原有的P-掺杂完全被补偿为N+。本发明器件结构采用源区两次不同浓度的掺杂注入，有效地结合了MOSFET导通电流大的特征，提高了器件的开态电流，且自适应地实现了该器件MOSFET和TFET部分的阈值调节。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 自适应 复合 机制 场效应 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种隧穿场效应晶体管，包括一个控制栅，一个栅介质层，一个半导体衬底，一个掺杂源区和一个掺杂漏区，掺杂源区和掺杂漏区分别位于控制栅的两侧，其特征在于，对于N型晶体管，掺杂源区在N‑掺杂的基础上，在靠近控制栅边缘的一侧又注入P+，使得该注入部分原有的N‑掺杂完全被补偿为P+，且P+掺杂区和有源区宽度方向的边缘有间距；对于P型晶体管，掺杂源区在P‑掺杂的基础上，在靠近控制栅边缘的一侧又注入N+，使得该注入部分原有的P‑掺杂完全被补偿为N+，且N+掺杂区和有源区宽度方向的边缘有间距。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京大学，未经北京大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210139560.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
