[发明专利]改善沟槽型NMOS漏源击穿电压的方法及其结构无效
| 申请号： | 201210139911.3 | 申请日： | 2012-05-08 |
| 公开（公告）号： | CN103390545A | 公开（公告）日： | 2013-11-13 |
| 发明（设计）人： | 罗清威;房宝青;左燕丽 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/266 | 分类号： | H01L21/266;H01L21/336;H01L29/06;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 高月红 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种改善沟槽型NMOS漏源击穿电压的方法及其结构，通过在沟槽型NMOS的沟槽底部，增加P型浮岛来实现。另外，本发明的沟槽型NMOS的结构，包括：传统的沟槽型NMOS结构，以及沟槽底部的P型浮岛。本发明通过在沟槽刻蚀之后、去除牺牲氧化层之前，增加一步硼杂质注入，形成P型浮岛，改善了沟槽底部电场集中问题，从而提高了沟槽型NMOS的漏源击穿电压。 | ||
| 搜索关键词： | 改善 沟槽 nmos 击穿 电压 方法 及其 结构 | ||
【主权项】：
一种改善沟槽型NMOS漏源击穿电压的方法，其特征在于：通过在沟槽型NMOS的沟槽底部，增加P型浮岛来实现。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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