[发明专利]横向扩散金属氧化物半导体晶体管及其制作方法有效
| 申请号： | 201210140214.X | 申请日： | 2012-05-08 |
| 公开（公告）号： | CN103390645A | 公开（公告）日： | 2013-11-13 |
| 发明（设计）人： | 纪刚;顾建平 | 申请（专利权）人： | 上海韦尔半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/417;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人： | 薛琦;朱水平 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种LDMOS，包括：一P型衬底、一N型外延层；位于该N型外延层中的一P阱；位于该P阱中的一第一N型掺杂区域；穿过该第一N型掺杂区域、该P阱、该N型外延层且直至该P型衬底的一沟槽，该沟槽的侧壁上具有第一氧化层，该沟槽中填充有P型掺杂的第一多晶硅，该第一多晶硅的上表面位于该P阱内且低于该第一N型掺杂区域；一第一金属层，该第一金属层覆盖于该第一多晶硅的上表面上以及覆盖于该第一N型掺杂区域上；和位于该P型衬底背面上的一源极金属层。本发明还公开了一种LDMOS的制作方法。本发明将原本正面引出的源极从衬底背面引出，有效减小原源极区在正面的设计面积，增大栅极区沟道的设计宽度，降低了导通电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 横向 扩散 金属 氧化物 半导体 晶体管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种横向扩散金属氧化物半导体晶体管，其特征在于，其包括：一P型衬底以及位于该P型衬底表面上的一N型外延层；位于该N型外延层中的一P阱；位于该P阱中的一第一N型掺杂区域；穿过该第一N型掺杂区域、该P阱、该N型外延层并且直至该P型衬底的一沟槽，该沟槽的侧壁上具有第一氧化层，该沟槽中填充有P型掺杂的第一多晶硅，该第一多晶硅的上表面位于该P阱内且低于该第一N型掺杂区域；一第一金属层，该第一金属层覆盖于该第一多晶硅的上表面上以及覆盖于该第一N型掺杂区域上；以及，位于该P型衬底背面上的一源极金属层。
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