[发明专利]制造绝缘栅极半导体装置的方法及结构

摘要

本发明涉及制造绝缘栅极半导体装置的方法及结构。在一个实施方案中，一种垂直型绝缘栅极场效应管包括形成于半导体材料内沟槽结构中的屏蔽电极。藉由使用栅极绝缘层，栅极电极与所述半导体材料隔离开。在形成所述屏蔽电极之前，可使用间隔层来沿着所述沟槽结构的部分形成屏蔽绝缘层。所述屏蔽绝缘层比所述栅极绝缘层厚。在另一个实施方案中，所述屏蔽绝缘层具有变化的厚度。

主权项

一种用于形成半导体装置的方法，包括以下步骤：提供具有主表面的半导体材料区域；形成从所述主表面延伸的沟槽；上覆于所述沟槽的表面形成第一层；相邻于所述第一层形成间隔层，其中所述间隔层包含不同于所述第一层的材料；在邻近所述沟槽的下表面处形成第一区域，所述第一区域包含不同于所述间隔层的材料；在所述沟槽的下部分且相邻于所述间隔层及所述第一区域的若干部分中形成第一电极；其中所述第一层的若干部分介于所述第一电极与所述半导体材料区域之间；在所述第一电极上方形成电介质层；以及相邻于所述第一层及所述电介质层形成第二电极，其中所述第二电极的至少一部分位于所述沟槽内。