[发明专利]一种顶栅结构金属氧化物薄膜晶体管及其制作方法无效

专利信息
申请号: 201210141255.0 申请日: 2012-05-08
公开(公告)号: CN102683423A 公开(公告)日: 2012-09-19
发明(设计)人: 张耿;向桂华;王娟;赵伟明;孙庆华;蔡君蕊 申请(专利权)人: 东莞彩显有机发光科技有限公司;东莞有机发光显示产业技术研究院;东莞宏威数码机械有限公司
主分类号: H01L29/786 分类号: H01L29/786;H01L29/267;H01L29/45
代理公司: 东莞市冠诚知识产权代理有限公司 44272 代理人: 张作林
地址: 523000 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开了一种顶栅结构金属氧化物薄膜晶体管及其制作方法,其中,薄膜晶体管包括基板、有源层、绝缘层、栅极、源极和漏极,有源层设于基板之上,源极设于有源层上侧之一端,漏极设于有源层上侧之另端,绝缘层设于有源层上侧之中部,栅极设于绝缘层之上;该有源层与源极之间设有金属化层,该有源层与漏极之间也设有金属化层;该有源层为复合膜层结构,从下而上依次为贫氧型金属氧化物膜层、富氧型金属氧化物膜层。本发明有源层由同一材料不同工艺制作成复合膜层,并在源/漏电极接触区通过金属化的方法,降低接触电阻;采用优化溅镀工艺制作绝缘层,避免等离子体损伤沟道有源层。通过退火处理,得到高性能的顶栅结构金属氧化物薄膜晶体管。
搜索关键词: 一种 结构 金属 氧化物 薄膜晶体管 及其 制作方法
【主权项】:
一种顶栅结构金属氧化物薄膜晶体管,包括基板、有源层、绝缘层、栅极、源极和漏极,有源层设于基板之上,源极设于有源层上侧之一端,漏极设于有源层上侧之另端,绝缘层设于有源层上侧之中部,栅极设于绝缘层之上;其特征在于:该有源层与源极之间设有金属化层,该有源层与漏极之间也设有金属化层;该有源层为复合膜层结构,从下而上依次为贫氧型金属氧化物膜层、富氧型金属氧化物膜层。
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