[发明专利]半导体集成电路和处理器

摘要

本公开涉及半导体集成电路和处理器。在一种实施例中，本发明公开了一种半导体集成电路，该半导体集成电路包括：第一逆变器；第二逆变器；第一晶体管，其中第一晶体管的一端与第一位线连接，以及第一晶体管的另一端与第一逆变器的第一输入端子连接；第一元件组，包含第二晶体管，其中第一元件组的一端与第一逆变器的第一输出端连接，以及第一元件组的另一端与第二位线连接；以及第二元件组，包含第三晶体管以及其磁阻可变的磁阻元件，其中第二元件组的一端与第一逆变器及第二逆变器连接，以及第二元件组的另一端与第一端子连接。

主权项

一种半导体集成电路，包括：第一逆变器，包含第一输入端子和第一输出端子；第二逆变器，包含第二输入端子和第二输出端子，其中所述第二逆变器的所述第二输入端子与所述第一逆变器的所述第一输出端子连接，以及所述第二逆变器的所述第二输出端子与所述第一逆变器的所述第一输入端子连接；第一晶体管，其中所述第一晶体管的一端与第一位线连接，以及所述第一晶体管的另一端与所述第一逆变器的所述第一输入端子连接；第一元件组，包含多个第二晶体管，其中所述第一元件组的一端与所述第一逆变器的所述第一输出端连接，以及所述第一元件组的另一端与第二位线连接；以及第二元件组，包含多个第三晶体管以及其磁阻可变的磁阻元件，其中所述第二元件组布置于所述第二逆变器的所述第二输出端子与第一端子之间，或者布置于所述第一晶体管与所述第一端子之间，并且其中给定的电位按照操作被施加于所述第一端子，以及其中如果所述磁阻元件处于小电阻状态，则所述磁阻元件的电阻值与所述第三晶体管的导通电阻值之和小于所述第一元件组的导通电阻值，以及其中如果所述磁阻元件处于大电阻状态，则所述磁阻元件的电阻值与所述第三晶体管的导通电阻值之和大于所述第一元件组的导通电阻值。