[发明专利]组合式修整器及其制造方法与化学机械抛光方法有效
| 申请号： | 201210141444.8 | 申请日： | 2012-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN103367242A | 公开（公告）日： | 2013-10-23 |
| 发明（设计）人： | 宋健民;叶文挺 | 申请（专利权）人： | 铼钻科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 梁爱荣 |
| 地址： | 中国台湾新*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明是有关于一种组合式修整器，包括：一底部基板；多个研磨单元，设置于该底部基板的表面，每一研磨单元包括多个研磨尖点、以及一固定所述研磨尖点的结合剂层；以及一厚度可调节的黏着剂层，固定所述研磨单元于该底部基板的表面，其中，所述研磨尖点中突出一预定平面的第一高点与第二高点的高度差小于10微米，第一高点与第十高点的高度差小于20微米，第一高点与第一百高点的高度差小于40微米，且该第一高点突出该结合剂层的高度大于50微米。本发明亦关于该组合式修整器的制造方法及化学机械抛光方法。 | ||
| 搜索关键词： | 组合式 修整 及其 制造 方法 化学 机械抛光 | ||
【主权项】：
一种组合式修整器，其特征在于包括：一底部基板；多个研磨单元，设置于该底部基板的表面，每一研磨单元包括多个研磨尖点、以及一固定所述研磨尖点的结合剂层；以及一厚度可调节的黏着剂层，固定所述研磨单元于该底部基板的表面，其中，所述研磨尖点中突出一预定平面的第一高点与第二高点的高度差小于10微米，第一高点与第十高点的高度差小于20微米，第一高点与第一百高点的高度差小于40微米，且该第一高点突出该结合层的高度大于50微米。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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