[发明专利]一种退火系统有效
| 申请号： | 201210141445.2 | 申请日： | 2012-05-08 |
| 公开（公告）号： | CN103390552B | 公开（公告）日： | 2017-11-14 |
| 发明（设计）人： | 熊文娟;王大海;蒋浩杰;李俊峰 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/324 | 分类号： | H01L21/324 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供一种退火系统，包括混合气体源与退火炉，所述混合气体源通过炉外进气管与所述退火炉的后端相连，所述混合气体源与所述炉外进气管之间设置有阀门，所述阀门与所述炉外进气管之间设置有流量计；其中，所述退火炉包括炉体和炉盖，所述炉体为圆柱体型结构，所述炉盖设置在所述退火炉的前端；所述混合气体源用于向所述退火系统提供氮气与氢气的混合气体，其中，所述氮气与氢气的比例在90%10%~95%5%之间。采用用于向退火系统提供氮气与氢气的混合气体源，在退火过程中，向退火炉中通入一定比例的氮气与氢气的混合气体，避免了由于退火系统发生故障导致退火炉中氢气含量过高的危险，能够极大地提高退火系统的安全性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 退火 系统 | ||
【主权项】：
一种退火系统，包括混合气体源与退火炉，其特征在于，所述混合气体源通过第一炉外进气管与所述退火炉的后端相连，所述混合气体源与所述第一炉外进气管之间设置有第一阀门；其中，所述退火炉包括炉体和炉盖，所述炉体为圆柱体型结构，所述炉盖设置在所述退火炉的前端；所述炉盖为非密封门；所述混合气体源用于向所述退火系统提供氮气与氢气的混合气体，以避免由于退火系统发生故障导致退火炉中氢气含量过高而造成的危险，其中，所述混合气体中氮气与氢气的比例在90％∶10％～95％∶5％之间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
