[发明专利]发光元件及其制作方法有效

专利信息
申请号: 201210141483.8 申请日: 2012-05-09
公开(公告)号: CN102881706A 公开(公告)日: 2013-01-16
发明(设计)人: 程志青 申请(专利权)人: 广镓光电股份有限公司
主分类号: H01L27/15 分类号: H01L27/15;H01L27/02;H01L33/38
代理公司: 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 代理人: 臧建明
地址: 中国台湾台中市大雅*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 发明提供一种发光元件及其制作方法,发光元件包括基板、发光结构区域、静电放电保护结构区域、沟槽、导电层、第一电极及第二电极。发光结构区域与静电放电保护结构区域形成在基板上。发光结构区域包括第一半导体层、发光层、第二半导体层。静电放电保护结构区域包括第三半导体层、主动层及第四半导体层。沟槽形成在发光结构区域与静电放电保护区域之间。导电层配置在沟槽上。第一电极形成在静电放电保护结构区域上,并覆盖至少部分静电放电保护结构区域。第二电极形成在发光结构区域上,且不延伸至静电放电保护结构区域上。
搜索关键词: 发光 元件 及其 制作方法
【主权项】:
一种发光元件,其特征在于,包括:基板;发光结构区域,形成在该基板上,且包含第一半导体层、发光层及第二半导体层;静电放电保护结构区域,形成在该基板上,且包含第三半导体层、主动层及第四半导体层;沟槽,其中该沟槽形成在该发光结构区域与该静电放电保护结构区域之间;导电层,其中该导电层配置在该沟槽上,且连接该发光结构区域与该静电放电保护结构区域;第一电极,其中该第一电极形成在该静电放电保护结构区域上,并覆盖至少部分该静电放电保护结构区域;以及第二电极,其中该第二电极形成在该发光结构区域上,且该第二电极不延伸至该静电放电保护结构区域上。
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