[发明专利]发光元件及其制作方法有效
申请号: | 201210141483.8 | 申请日: | 2012-05-09 |
公开(公告)号: | CN102881706A | 公开(公告)日: | 2013-01-16 |
发明(设计)人: | 程志青 | 申请(专利权)人: | 广镓光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L27/02;H01L33/38 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 臧建明 |
地址: | 中国台湾台中市大雅*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明提供一种发光元件及其制作方法,发光元件包括基板、发光结构区域、静电放电保护结构区域、沟槽、导电层、第一电极及第二电极。发光结构区域与静电放电保护结构区域形成在基板上。发光结构区域包括第一半导体层、发光层、第二半导体层。静电放电保护结构区域包括第三半导体层、主动层及第四半导体层。沟槽形成在发光结构区域与静电放电保护区域之间。导电层配置在沟槽上。第一电极形成在静电放电保护结构区域上,并覆盖至少部分静电放电保护结构区域。第二电极形成在发光结构区域上,且不延伸至静电放电保护结构区域上。 | ||
搜索关键词: | 发光 元件 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
一种发光元件,其特征在于,包括:基板;发光结构区域,形成在该基板上,且包含第一半导体层、发光层及第二半导体层;静电放电保护结构区域,形成在该基板上,且包含第三半导体层、主动层及第四半导体层;沟槽,其中该沟槽形成在该发光结构区域与该静电放电保护结构区域之间;导电层,其中该导电层配置在该沟槽上,且连接该发光结构区域与该静电放电保护结构区域;第一电极,其中该第一电极形成在该静电放电保护结构区域上,并覆盖至少部分该静电放电保护结构区域;以及第二电极,其中该第二电极形成在该发光结构区域上,且该第二电极不延伸至该静电放电保护结构区域上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的