[发明专利]分子磁化产生器无效
| 申请号： | 201210141584.5 | 申请日： | 2012-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN103316429A | 公开（公告）日： | 2013-09-25 |
| 发明（设计）人： | 洪金辉 | 申请（专利权）人： | 东方先进技术开发股份有限公司;高昌电子有限公司 |
| 主分类号： | A61N2/08 | 分类号： | A61N2/08;A61N2/02 |
| 代理公司： | 北京汇泽知识产权代理有限公司 11228 | 代理人： | 张秋越 |
| 地址： | 中国台湾新北市深*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种分子磁化产生器，包含：一结构体、一磁性材质以及一磁场产生线圈，结构体具有一中空部分，该磁性材质配置于结构体的内层，磁场产生线圈配置于结构体的外部表面，以提升中空部分的磁场强度。 | ||
| 搜索关键词： | 分子 磁化 产生器 | ||
【主权项】：
一种分子磁化产生器，其特征在于，包含：一结构体、磁性材质以及一磁场产生线圈，该结构体具有一中空部分，该磁性材质置于该结构体的内层，该磁场产生线圈配置于该结构体的外部表面。
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