[发明专利]选择性发射极刻蚀工艺有效
| 申请号： | 201210141800.6 | 申请日： | 2012-05-08 |
| 公开（公告）号： | CN102709387A | 公开（公告）日： | 2012-10-03 |
| 发明（设计）人： | 丁晓春 | 申请（专利权）人： | 常州天合光能有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 常州市维益专利事务所 32211 | 代理人： | 王凌霄 |
| 地址： | 213031 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种选择性发射极刻蚀工艺，具有如下步骤：a)硅片正面刻蚀：在具有掩膜图案的扩散后的硅片正面刻蚀出所需的方阻；b)去除正面掩膜；c)刻蚀硅片表面的PSG；d)硅片背面刻蚀。本发明的有益效果是：扩散后的硅片表面存在一层亲水的PSG层，原有的选择性发射极刻蚀工艺流程直接在具有亲水性的PSG层硅片表面进行背面刻蚀，硅片边缘会造成过刻。改善后的工艺流程中，去PSG层后的硅片整体呈疏水性，在进行背面刻蚀时，可有效改善边缘过刻的问题。同时，由于改善后的工艺首先对硅片进行正面刻蚀，保证了刻蚀方阻整体的均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | 选择性 发射极 刻蚀 工艺 | ||
【主权项】：
一种选择性发射极刻蚀工艺，其特征是：具有如下步骤：a)硅片正面刻蚀：在具有掩膜图案的扩散后的硅片正面刻蚀出所需的方阻；b)去除正面掩膜；c)刻蚀硅片表面的PSG；d)硅片背面刻蚀。
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H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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