[发明专利]一种提高类单晶晶体质量的方法无效
| 申请号： | 201210141806.3 | 申请日： | 2012-05-08 |
| 公开（公告）号： | CN102703975A | 公开（公告）日： | 2012-10-03 |
| 发明（设计）人： | 张驰;熊震;付少永 | 申请（专利权）人： | 常州天合光能有限公司 |
| 主分类号： | C30B28/06 | 分类号： | C30B28/06;C30B29/06;C30B11/00 |
| 代理公司： | 常州市维益专利事务所 32211 | 代理人： | 王凌霄 |
| 地址： | 213031 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种提高类单晶晶体质量的方法，具有以下步骤：（1）硅片清洗，（2）硅片漂洗，（3）硅片表面处理：在硅片表面形成氮化硅钝化膜，氮化硅钝化膜厚度>70nm，形成钝化硅片；（4）高纯石英板表面处理：高纯石英板的纯度>4N，将高纯石英板置于氢氟酸、氟化铵、去离子水配置的溶液中浸泡，溶液配比：V氢氟酸：V氟化铵：V去离子水=1：7：5，浸泡时间>3min（5）高纯石英板清洗，（6）高纯石英板喷涂，（7）铺放。本发明使得类单晶晶锭少子寿命得到明显提高，晶锭绝对收益提高4%，同时经过表面处理的高纯石英板可以多次利用，降低生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 类单晶 晶体 质量 方法 | ||
【主权项】：
一种提高类单晶晶体质量的方法，其特征在于：具有以下步骤：（1）硅片清洗：原生硅片去除表面杂质和油污；（2）硅片漂洗：用超纯水漂洗经清洗过的硅片后吹干；（3）硅片表面处理：利用等离子体增强化学气相沉积法或低压化学气相沉积法处理硅片，在硅片表面形成氮化硅钝化膜，氮化硅钝化膜厚度>70nm，形成钝化硅片；（4）高纯石英板表面处理：高纯石英板的纯度>4N，将高纯石英板置于氢氟酸、氟化铵、去离子水配置的溶液中浸泡，溶液配比：V氢氟酸：V氟化铵：V去离子水=1：7：5，浸泡时间>3min；（5）高纯石英板清洗：将表面处理后的高纯石英板置于去离子水中超声清洗吹干；（6）高纯石英板喷涂：采用氮化硅溶液喷涂石英板，氮化硅钝化膜厚度>50μm，烘干待用；（7）铺放：从下至上依次将处理后的高纯石英板、钝化硅片、块状籽晶平铺于石英坩埚底部，然后将电活性掺杂剂和多晶硅原料同时放置在块状籽晶之上进行铸锭。
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