[发明专利]一种实现太阳能电池选择性发射极的方法无效
| 申请号： | 201210141807.8 | 申请日： | 2012-05-08 |
| 公开（公告）号： | CN102709388A | 公开（公告）日： | 2012-10-03 |
| 发明（设计）人： | 叶权华 | 申请（专利权）人： | 常州天合光能有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 常州市维益专利事务所 32211 | 代理人： | 王凌霄 |
| 地址： | 213031 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种实现太阳能电池选择性发射极的方法，具有以下步骤：（1）太阳能电池片制绒后在太阳能电池片上生长一层SiO2阻挡层；（2）压紧装置压在太阳能电池片的电池栅线区域；（3）压紧装置内通入HF气体，HF气体把电池栅线区域的SiO2阻挡层全部去除后抽走残留HF气体；（4）将太阳能电池片放入扩散炉进行重扩散，（5）清洗去除SiO2阻挡层后将太阳能电池片放入扩散炉进行轻扩散。本发明采用气体刻蚀，减少浆料使用，大大节约成本，气体刻蚀后不用清洗工艺，直接进行重扩散，减少工序，提高良率，减少成本操作流程简单，生产成本低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 实现 太阳能电池 选择性 发射极 方法 | ||
【主权项】：
一种实现太阳能电池选择性发射极的方法，其特征在于：具有以下步骤：（1）太阳能电池片制绒后在太阳能电池片上采用湿氧氧化生长一层SiO2阻挡层；（2）将可通入气体的压紧装置压在太阳能电池片的电池栅线区域；（3）压紧装置内通入HF气体，HF气体把电池栅线区域的SiO2阻挡层全部去除后抽走残留HF气体；（4）取走压紧装置，将太阳能电池片放入扩散炉进行重扩散，电池栅线区域形成高掺杂深扩散区，电池非栅线区域为SiO2阻挡层；（5）清洗去除SiO2阻挡层后将太阳能电池片放入扩散炉进行轻扩散，电池非栅线区域形成轻掺杂浅扩散区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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