[发明专利]一种沟槽肖特基半导体装置及其制备方法有效
| 申请号： | 201210141951.1 | 申请日： | 2012-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN103378171B | 公开（公告）日： | 2017-11-14 |
| 发明（设计）人： | 朱江 | 申请（专利权）人： | 朱江 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06;H01L21/329 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 113200 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种沟槽肖特基半导体装置，其具有电荷补偿结构，当半导体装置接一定的反向偏压时，第一导电半导体材料与第二导电半导体材料可以形成电荷补偿，提高器件的正向导通或反向阻断特性；本发明还提供了一种沟槽肖特基半导体装置的制备方法。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 沟槽 肖特基 半导体 装置 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种沟槽肖特基半导体装置，其特征在于：包括：衬底层，为半导体材料；漂移层，为第一传导类型的半导体材料，位于衬底层之上；多个沟槽，位于漂移层中和半导体装置表面，沟槽底部不与衬底层相连，沟槽内壁有绝缘层；多个电荷补偿区，位于沟槽之间，其中沟槽之间的电荷补偿区由单个第一导电半导体材料和单个第二导电半导体材料排列构成，电荷补偿区的第一传导半导体材料临靠左侧沟槽，电荷补偿区的第二传导半导体材料临靠右侧沟槽，第二传导半导体材料不与衬底层相连；肖特基势垒结，位于沟槽之间的半导体材料表面。
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