[发明专利]一种绝缘栅双极型晶体管晶片制作方法无效
| 申请号： | 201210142613.X | 申请日： | 2012-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN103035518A | 公开（公告）日： | 2013-04-10 |
| 发明（设计）人： | 雷海波;董颖 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种绝缘栅双极型晶体管晶片制作方法，包括：将器件晶片的两面定义为镜面、背面，对器件晶片的镜面进行绝缘双极型晶体制作常规的光刻、注入形成注入层，刻蚀出对准标注的沟槽，所述沟槽深度大于器件注入退火后所形成注入层深度；将处理晶片的两面定义为镜面、背面，对处理晶片的镜面进行表面氧化处理；将器件晶片、处理晶片的镜面进行硅硅键和；对器件晶片的背面进行减薄抛光至对准标注的沟槽露出为止；在器件晶片背面进行常规的晶片制作处理工艺，在器件晶片处理工艺完成后进行器件晶片背面贴膜；对处理晶片背面进行硅去除；将氧化膜去除。本发明绝缘栅双极型晶体管晶片制作方法能降低绝缘栅双极型晶体管晶片制作时对设备硬件精度的要求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 绝缘 栅双极型 晶体管 晶片 制作方法 | ||
【主权项】：
一种绝缘栅双极型晶体管晶片制作方法，其特征是，包括：（1）将器件晶片的两面定义为镜面、背面，对器件晶片的镜面进行绝缘双极型晶体制作常规的光刻、注入形成注入层，刻蚀出对准标注的沟槽，所述沟槽深度大于器件注入退火后所形成注入层的深度；（2）将处理晶片的两面定义为镜面、背面，对处理晶片的镜面进行表面氧化处理；（3）将器件晶片的镜面和处理晶片的镜面进行硅硅键和；（4）对器件晶片的背面进行减薄抛光至对准标注的沟槽露出为止；（5）在器件晶片背面进行常规的晶片制作处理工艺，在器件晶片处理工艺完成后进行器件晶片背面贴膜；对处理晶片背面进行硅去除；（6）将步骤（2）中生成的氧化膜去除。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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