[发明专利]混成式三维神经元探针阵列无效

专利信息
申请号: 201210142795.0 申请日: 2012-05-09
公开(公告)号: CN102670193A 公开(公告)日: 2012-09-19
发明(设计)人: 程正喜;庄佚溦;张学敏;翟厚明;施永明;马斌 申请(专利权)人: 中国科学院上海技术物理研究所
主分类号: A61B5/04 分类号: A61B5/04;B81B1/00
代理公司: 上海新天专利代理有限公司 31213 代理人: 郭英
地址: 200083 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明公开了一种混成式三维神经元探针阵列,它包括:信号读出电路衬底,与所述信号读出电路衬底倒焊互连的探针阵列;所述探针阵列的每个探针包括:针尖,针身,以及针底座;相邻探针之间的针底座之间相互分离;相邻所述探针的所述针底座之间的间距范围为25至75微米,针尖由两个相邻交接的斜面和两个相互垂直交接的垂直面围成,两个所述垂直面垂直于所述硅衬底,所述斜面与所述垂直面之间的夹角为V形沟槽的两个斜面的夹角的1/2。该混成式三维神经元探针阵列的制备成品率高,并且制备工艺相对简单,适合大规模制备。
搜索关键词: 混成 三维 神经元 探针 阵列
【主权项】:
一种混成式三维神经元探针阵列,它包括:信号读出电路衬底,与所述信号读出电路衬底倒焊互连的探针阵列;其特征在于:所述探针阵列的每个探针包括:针尖,针身,以及针底座;相邻探针之间的针底座之间相互分离;相邻所述探针的所述针底座之间的间距范围为25至75微米,针尖由两个相邻交接的斜面和两个相互垂直交接的垂直面围成,两个所述垂直面垂直于所述硅衬底,所述斜面与所述垂直面之间的夹角为V形沟槽的两个斜面的夹角的1/2。
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