[发明专利]一种Ru-Li共掺杂氧化镍薄膜的制备方法

摘要

本发明属于半导体与器件领域，具体涉及一种Ru-Li共掺杂氧化镍薄膜的制备方法。本发明方法是首先制备Ru-Li共掺杂镍溶胶，然后将Ru-Li共掺杂氧化镍溶胶在基片上进行旋转涂膜，最后在300-600℃条件下在空气中对薄膜热处理1-2h，得到Ru-Li共掺杂氧化镍薄膜。本发明制备的Ru-Li共掺杂NiO薄膜具有良好的可重复电阻开关特性，连续扫描9次均观察到开关现象；本发明仅通过掺杂制备的NiO薄膜与本征NiO薄膜相比开关比有所提高，改善了电阻存储器件的信噪比。

主权项

一种Ru‑Li共掺杂氧化镍薄膜的制备方法，其特征在于按照以下步骤进行：（1）称取1.24‑1.25gNi(CH3COO)2·4H2O，溶于25mL乙二醇甲醚中，加入与Ni(CH3COO)2·4H2O等摩尔的乙醇胺，在60‑70 ℃的水浴条件下搅拌30‑40 min后，加入质量比为3：（1‑5）的RuCl3·3H2O和CH3COOLi继续搅拌90‑100 min，得到Ru‑Li共掺杂的氧化镍溶胶，将其在空气中静置陈化24‑48h；（2）将基片依次在丙酮、无水乙醇和去离子水中超声波清洗10‑15min，再用无水乙醇冲洗，之后在加热平台上烘干；（3）用匀胶机将静置陈化后得到的Ru‑Li共掺杂氧化镍溶胶在基片上进行旋转涂膜，先在800‑1000r/min的转速下向基片滴加溶胶5‑10s，然后将基片在3000 ‑3500r/min的转速下旋转30‑40 s，基片表面形成湿膜，将基片置于加热平台上于100‑120 ℃温度下加热烘干，重复上述涂膜过程两次；（4）最后以6℃/min的升温速率，在300‑600 ℃条件下在空气中对薄膜热处理1‑2 h，得到Ru‑Li共掺杂氧化镍薄膜。