[发明专利]提高击穿电压的方法有效
| 申请号： | 201210143418.9 | 申请日： | 2012-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN102683216A | 公开（公告）日： | 2012-09-19 |
| 发明（设计）人： | 任栋梁;钱亮;李冰寒;胡勇 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种提高击穿电压的方法，其特征在于：在嵌入式闪存高压量测前，将晶体管的栅极和源极接地，漏极加一电流。通过漏极附近的碰撞电离效应而形成最大通道横向电场，使得漏极区一些高能热载流子注入到栅氧层而产生一些电子空穴对，进而导致漏极区向栅极移动的热载流子的速率和饱和速率下降，使得晶体管击穿电压增大，使得HVNMOS晶体管的击穿电压大于闪存擦写动作的高压上限区域，进而完成HVNMOS的闪存擦写动作，提高HVNMOS器件的产能。 | ||
| 搜索关键词： | 提高 击穿 电压 方法 | ||
【主权项】：
一种提高击穿电压的方法，其特征在于：在嵌入式闪存高压量测前，将晶体管的栅极和源极接地，漏极加一电流以在漏极产生最大通道横向电场。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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