[发明专利]提取双极型晶体管的发射极与基极之间的重叠电容的方法有效
| 申请号： | 201210143458.3 | 申请日： | 2012-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN102692567B | 公开（公告）日： | 2017-05-31 |
| 发明（设计）人： | 范象泉 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G01R27/26 | 分类号： | G01R27/26;G01R31/26 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 根据本发明的提取双极型晶体管的发射极与基极之间的重叠电容的方法包括第一步骤，用于为双极型晶体管器件的发射极和基极之间的接触区域的宽度和长度取多个不同的值，并且将所取的不同的值代入双极型晶体管器件的发射极和基极之间的总电容的函数方程式，同时测量宽度和长度的不同的值下实际的总电容CBE_total的各个取值随电压变化关系，从而得到方程来提取出待测量双极型晶体管器件的参数cjeb、参数vde、参数pe、参数cjes和参数cbeos的值；以及第二步骤，用于将提取出来的参数cbeos代入式子Cbeo=cbeos*2*(ew+el)以提取其中发射极和基极之间的接触区域的长度为el且宽度为ew的待测量双极型晶体管器件的发射极与基极之间的重叠电容。 | ||
| 搜索关键词： | 提取 双极型 晶体管 发射极 基极 之间 重叠 电容 方法 | ||
【主权项】：
一种提取双极型晶体管的发射极与基极之间的重叠电容的方法，其特征在于包括：第一步骤，用于为双极型晶体管器件的发射极和基极之间的接触区域的宽度和长度取多个不同的值，并且将所取的不同的值代入双极型晶体管器件的发射极和基极之间的总电容的函数方程式CBE_total＝cjeb*ew*el*/(1‑Vbe/vde)^pe+(cjes/(1‑Vbe/vde)^pe+cbeos)*2*(el+ew)，同时测量宽度和长度的不同的值下实际的总电容CBE_total的各个取值，从而得到方程来提取出待测量双极型晶体管器件的参数cjeb、参数vde、参数pe、参数cjes和参数cbeos的值；其中，参数ew和参数el分别表示双极型晶体管器件的发射极和基极之间的接触区域的宽度和长度，Vbe表示基极与发射极之间的电压，cjeb表示发射极和基极结电容的底面部分的单位面积电容，cjes表示发射极和基极结电容的周长部分的单位电容；pe和vde是结电容模型的与PN结的尺寸无关而与结的种类相关的参数；第二步骤，将提取出来的参数cbeos代入式子Cbeo＝cbeos*2*(ew+el)以提取其中发射极和基极之间的接触区域的长度为el且宽度为ew的待测量双极型晶体管器件的发射极与基极之间的重叠电容Cbeo。
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