[发明专利]半导体器件的制造方法有效
| 申请号： | 201210143482.7 | 申请日： | 2012-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN103390559A | 公开（公告）日： | 2013-11-13 |
| 发明（设计）人： | 冯军宏;甘正浩 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件的制造方法，包括提供半导体衬底，在其上形成介电层；在所述介电层上形成高介电常数材料层；在所述高介电常数材料层上形成罩层；在所述罩层上形成无定形硅层；向所述无定形硅层进行离子注入；在所述无定形硅层上形成多晶硅层。本发明所述制造方法，通过在高介电常数材料层上覆盖无定形硅层，向所述无定形硅层注入碳氟化合物，退火工艺使注入的碳和氟进入高介电常数材料层，氟能够减少高介电常数材料层中悬挂键的存在，进而减小阈值电压的漂移；碳能够降低在其他掺杂区中掺杂离子的扩散，有效提高半导体器件的稳定性；此外由于碳和氟仅在一次离子注入工艺中注入完成，注入剂量易于控制，并降低注入损伤。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的制造方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成介电层；在所述介电层上形成高介电常数材料层；在所述高介电常数材料层上形成罩层；在所述罩层上形成无定形硅层；向所述无定形硅层进行离子注入，注入的离子包括碳和氟；进行退火工艺，使碳和氟进入高介电常数材料层；在所述无定形硅层上形成多晶硅层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210143482.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种媒体节目互动方法及系统
- 下一篇：晶体管的形成方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
