[发明专利]一种晶圆表面的研磨去除率的计算方法有效
| 申请号： | 201210143575.X | 申请日： | 2012-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN102637238A | 公开（公告）日： | 2012-08-15 |
| 发明（设计）人： | 曹鹤;陈岚 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50 |
| 代理公司： | 北京市德权律师事务所 11302 | 代理人： | 刘丽君 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种晶圆表面的研磨去除率的计算方法，涉及化学机械研磨技术领域，特别涉及一种晶圆表面的研磨去除率的计算方法，本发明通过获取研磨粒子与晶圆上的计算点接触时的平均去除深度，并结合研磨周期内所述研磨粒子与所述计算点的接触次数，得出研磨周期内计算点的去除深度，进而将去除深度除以研磨周期即可实现准确可靠的获得所述晶圆表面的研磨去除率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 表面 研磨 去除 计算方法 | ||
【主权项】：
一种晶圆表面的研磨去除率的计算方法，应用于使用研磨垫研磨晶圆表面进行化学机械研磨时，其特征在于，包括：根据晶圆上任一位置在研磨周期内的去除深度和研磨周期的比值，确定晶圆表面的研磨去除率，其中，所述晶圆上任一位置在研磨周期内的去除深度为在研磨周期内所述任一位置与研磨粒子接触研磨而去除的晶圆厚度。
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