[发明专利]晶片封装体及其形成方法有效
| 申请号： | 201210143672.9 | 申请日： | 2012-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN102779809A | 公开（公告）日： | 2012-11-14 |
| 发明（设计）人： | 刘建宏 | 申请（专利权）人： | 精材科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/538 | 分类号： | H01L23/538;H01L21/768;B81B7/00;B81C3/00 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇 |
| 地址： | 中国台湾桃园县中*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种晶片封装体及其形成方法，该晶片封装体包括：一第一基底；一第二基底，设置于该第一基底之上，其中该第二基底具有贯穿该第二基底之至少一开口，该至少一开口于该第二基底之中划分出彼此电性绝缘的多个导电区；一第一绝缘层，设置于该第一基底之一侧边之上，且填充于该第二基底之该至少一开口之中；一承载基底，设置于该第二基底之上；一第二绝缘层，设置于该承载基底之一表面及一侧壁之上；以及一导电层，设置于该承载基底上之该第二绝缘层之上，且电性接触其中一所述导电区。本发明可有效缩小多晶片封装结构的体积，且节省制作成本。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 封装 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种晶片封装体，其特征在于，包括：一第一基底；一第二基底，设置于该第一基底之上，其中该第二基底具有贯穿该第二基底的至少一开口，该至少一开口于该第二基底之中划分出彼此电性绝缘的多个导电区；一第一绝缘层，设置于该第一基底的一侧边之上，且填充于该第二基底的该至少一开口之中；一承载基底，设置于该第二基底之上；一第二绝缘层，设置于该承载基底的一表面及一侧壁之上；以及一导电层，设置于该承载基底上的该第二绝缘层之上，且电性接触所述导电区中的一导电区。
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